除了效率之外，观察本工作的客体辅助组装策略也有助于提高操作稳定性，这是OSCs实际应用的另一个必要条件。

通常，上半市公司陷损原位异原子掺杂被广泛用作制备掺杂型3-D石墨烯材料的有效方法，而这种掺杂方式对3-D石墨烯结构的性质有一定影响。例如，年主电化学掺杂法可以通过电化学电场的作用实现将外部电解质离子（含有掺杂元素）插入层状石墨电极中，年主从而通过后续处理形成异原子掺杂的3-D石墨烯粉末。

在较低pH值的酸性条件下，电上样品为起皱的三维纳米片，具有较大的比表面积和较高的电容（1Ag-1时为321Fg-1）。BNP-C呈现三维网络结构、入亏分层多孔结构、1118.5m2 g-1的大比表面积以及C、N、B和P元素的均匀分布（见图8E）。化学气相沉积法是最广泛使用的生长可控层和尺寸的石墨烯的方法，观察其中可以使用不同的模板和掺杂源来有效地制备多样化的异原子掺杂3-D石墨烯材料。

总比电容中的EDLC电容和赝电容的贡献可以通过以下等式(Dunns方程)从CV曲线中计算出来:i =k1v+k2v1/2，上半市公司陷损其中i是固定电位下的测量电流，上半市公司陷损v是扫描速率，k1和k2分别代表电容过程和扩散过程。异原子基团作为电子受体可以促进准电容电荷转移，年主提高碳材料的亲水性。

异原子的存在不仅提供了氧化还原赝电容，电上还有助于抑制碳材料表面含氧官能团在充电和放电过程中的不可逆变化。

例如，入亏N的掺杂会在sp2碳网络中产生极化，这进一步影响石墨烯的化学和物理性质。显然，观察石墨烯泡沫的三维多孔网络以增强的速率性能为电子传输和离子扩散提供了有利的通道。

上半市公司陷损掺杂石墨烯材料的总存储电荷可分为两部分:(1)表面离子吸附的EDLC电容贡献和(2)电荷转移过程的赝电容贡献。异原子(氮、年主硫、硼、磷等)掺杂可以有效改善石墨烯的电子性质和化学反应性，从而显著改善材料的电化学性能。

石墨烯晶格平面中的P原子显示了PC2O2、电上PCO2、电上PC2O和PCO3的四种不同结构，B原子也出现在四种不同类型的BCO2、B4C、BC3和BCO3中，这是由于B被替换到Csp2框架中。入亏 N/S/P多元素共掺杂对电容器性能的影响：异原子掺杂石墨烯基材料已被证明是改善超级电容器电极材料性能的有效方法。